来源：智通财经网

　　在经历一轮史诗级上涨后，半导体板块开始显现估值过热担忧。追踪芯片板块的iShares半导体ETF（SOXX.US）此前连续18个交易日上涨，创罕见连涨纪录，但这一势头周一告终，iShares半导体ETF收跌1.34%。市场焦点随之转向，投资者是否仍应继续追逐芯片股。

　　在截至上周五的18连涨期间，iShares半导体ETF累计上涨近50%，上周五还在英特尔（INTC.US）强劲业绩及AMD（AMD.US）获分析师上调评级推动下单日上涨近5%。不过，快速上涨也令估值压力升温。

　　根据FactSet数据，iShares半导体ETF当前远期市盈率接近26倍，明显高于10年平均约19倍水平，并较标普500指数溢价17%。而历史上，该ETF通常相较大盘存在小幅折价。

　　分析人士指出，当前市场几乎在“为完美定价”。Interactive Brokers首席策略师Steve Sosnick警告，当前主要风险在于市场预期过高，企业业绩可能难以持续超预期。

　　从个股表现来看，本轮上涨几乎覆盖整个芯片板块。即便表现最弱的高通（QCOM.US）自3月30日以来也上涨16%。而英伟达（NVDA.US）虽然上涨22%，在板块中甚至被视作“落后者”。

　　涨幅领先的包括Credo Technology（CRDO.US）、Astera Labs（ALAB.US）和英特尔，三者在18连涨期间均实现翻倍。与此同时，迈威尔科技（MRVL.US）、AMD、德州仪器（TXN.US）、美光科技（MU.US）以及Arm Holdings（ARM.US）涨幅均超过50%。

　　Bespoke Investment Group指出，走势与iShares半导体ETF大致同步的费城半导体指数，当前可能已显过热。历史上，仅有一次18日区间涨幅高于本轮，那是在2002年互联网泡沫破裂后低点反弹阶段。

　　不过，并非所有细分板块都被认为估值透支。Mizuho分析师Jordan Klein认为，在CPU概念股狂热推升下，存储芯片或仍存在更优性价比。

　　他指出，尽管美光（MU.US）和闪迪（SNDK.US）同样大幅上涨，其估值明显低于AMD、Arm和英特尔。美光未来12个月预期市盈率仅约6倍，闪迪约10倍，而AMD、英特尔和Arm分别高达42倍、74倍和103倍。

　　市场人士认为，这意味着资金未来可能从高估值AI算力主线部分轮动至存储板块。尤其在AI带动存储需求结构性增长背景下，美光和闪迪或仍具重估空间。

　　不过，也有策略师提醒，半导体本质仍是周期行业。JonesTrading首席市场策略师Mike O’Rourke指出，当前行业确实处于强劲增长周期，需求短期仍有支撑，但周期越大，上行尾声风险也可能越高。