证券日报网讯 3月10日，中瓷电子在互动平台回答投资者提问时表示，1000V平台要求功率器件耐压≥1500V（留足电压尖峰冗余）。SiC击穿场强是硅的10倍、禁带宽度3倍，可直接支撑1000V母线，避免硅基IGBT复杂多级拓扑与击穿风险。全域1000V平台必须采用SiC功率器件（MOSFET/模块），硅基方案无法满足耐压、效率、功率密度要求。子公司国联万众已有相关碳化硅MOSFET芯片适用于新能源汽车1000V高压平台，且已有终端客户在验证试用。

（文章来源：证券日报）